各位讀者已經可以觀察到，SSD 今年開始越來越便宜，記憶體也有望逐步下調。Micron 於近日的線上財務說明會議，表示下一世代 96 層 3D 堆疊 NAND 快閃記憶體將於今年下半年開始量產出貨，而 1Y nm DRAM 也會在同期量產出貨。
Micron 近期的財報均交出不錯的成績單，但對讀者而言，能夠出現便宜的產品讓消費者選購似乎更為實際一些。近日 Micron 舉辦 2018 第三季會計年度線上財務說明會議，本季營業額達美金 78 億元，相比去年同期提升 40％，相較上一季也增長 6％。
除了優異的財報結果之外，該公司第三代 3D 堆疊 64 層 NAND 快閃記憶體，預計將於今年第二季開始量產出貨，成本近一步下調。該公司也對第四代 3D 堆疊快閃記憶體產品表示開發進度良好，將繼續使用 Replacement Gate 製程和 CMOS under the array 結構。
▲3D 堆疊 96 層快閃記憶體和 1y 奈米動態記憶體，均預計於今年下半年量產出貨。
Micron 手中另一項重要產品 DRAM 動態記憶體，1x（18）奈米製程預計下半年將成為量產主力，1y（14～16）奈米製程也將於下半年量產出貨，更進一步的 1Z（12～14）奈米或是 1α 也在開發當中。在中國邀請記憶體生產廠商喝咖啡之後，記憶體售價漲勢受到一定程度的壓抑，對於終端消費市場而言，只要未來沒有什麼重大狀況（譬如封裝測試廠失火之類的），這態勢或許會延續到下半年。
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