目前大量使用在 SSD 的 NAND 快閃記憶體，各家均採用 3D 堆疊製造方式，提升單位面積的儲存容量。在 NAND 快閃記憶體市場佔有一席之地的 Samsung Electronics，宣布自家第五代 V-NAND 快閃記憶體正式進入量產階段，堆疊層數超過 90 層，而前一代為 64 層，前一代產品已廣泛使用在旗下的 SSD 產品線之中。
目前提及的第五代 V-NAND 單一晶粒容量為 256Gb，每個 cell 可以儲存 3bit 資訊，也就是大家孰悉的 TLC 紀錄模式。cell 依然使用 CTF（Charge Trap Flash、電荷儲存式快閃記憶體），而非 Intel/Micron 陣營的 Floating Gate（浮極閘），所需運作電壓從前一代的 1.8V 下降至 1.2V，更具能源效率，讀寫反應速度同時下降至 50μs 和 500μs。
▲Samsung Electronics 開始量產第五代 V-NAND，3D 堆疊層數超過 90 層，並率先使用 Toggle DDR 4.0 傳輸介面。
第五代 V-NAND 3D 堆疊超過 90 層，內含超過 850 億個 cell，並透過原子層沉積製程的最佳化，產量相較過去提升 30％。最佳化的製程可讓每層高度減少 20％，降低 crosstalk（串音干擾）的同時，也就代表減少去除干擾的資料處理量。該世代 V-NAND 也採用最新款 Toggle DDR 4.0 傳輸介面，256Gb 容量版本即可擁有 1.4Gbs 傳輸速度。
Samsung Electronics 在未來也預計將會推出 1Tb 容量版本的 V-NAND，以及 QLC 紀錄模式的版本。而為了市場對於大容量產品的需求，廠商表示會盡快拉高第五代 V-NAND 的生產速度，但未表明將會先使用在何種產品線身上。