由於動態記憶體利用電容儲存電荷的特性，經過一定時間需要對電容再次充電，避免電荷流失量達到無法判斷 0 或是 1 的狀態，導致無法正常運作。也因為此運作原理讓記憶體製程微縮遇到瓶頸，近年來記憶體容量上升速度已漸趨緩，過小的儲存單元並無法儲存足夠的電荷，讀寫時也很容易受到鄰近儲存單元影響。
去年年底宣布正式量產第二代 10 奈米等級 1y nm DDR4 記憶體顆粒的 Samsung，宣布推出 DDR4 單條 UDIMM 32GB 模組，目前已達出樣階段供合作廠商測試。由於是 UDIMM 無緩衝、無 ECC、無 Registered 的記憶體模組，因此市場目標並非工作站或是伺服器，而是你我普通消費族群。
單條記憶體模組容量達 32GB 的 M378A4G43MB1-CTD，表示一般電腦平台 4 條記憶體插槽即可達 128GB 容量，HEDT 平台則是 256GB，等於是現行容量上限的 2 倍。這個記憶體模組採用 16 顆 2Gb x8 記憶體封裝，構成電路板雙面上料（單面 8 顆）2 個 Rank 結構，而一般 8GB DDR4 記憶體模組僅為單面上料 1Gb x8 單一 Rank 設計。
▲縱使 Samsung 推出 DDR4 32GB 記憶體模組，但受限於記憶體控制器支援性，主機板 DIMM 插好插滿並不容易。
記憶體控制器相容性也是需要考量的重點之一，Intel 第八代 Core 桌上型處理器 Coffee Lake-S 技術文件僅表列 16GB/2Ranks 模組，HEDT 平台 Core X 系列直接註明單個記憶體通道僅支援 2Ranks，即便主機板替每個記憶體通道安排 2 個記憶體插槽 DIMM，也只能安裝 1 條 M378A4G43MB1-CTD 32GB 模組。
M378A4G43MB1-CTD 記憶體模組等效時脈為 2666MHz，記憶體顆粒採用 M-die， TCL、TRCD、TRP、TRAS 最小值分別為 13.75ns、13.75ns、13.75ns、32ns，時序因此是比較寬鬆的 19-19-19-43，記憶體主要運作電壓則是標準 1.2V。另外深藏在 Samsung DDR4 產品指南資料表還有個 M378A4G43AB1-CVF 32GB 模組，採用 A-die 速度提升至等效時脈 2933MHz，預計於明年第一季上市。
▲除了 M378A4G43MB1-CTD，明年預計還有 1 款同為 32GB 的 M471A4G43AB1-CVF 記憶體模組，速度提升至 DDR4-2933。