根據 IDC 預測資料顯示，DDR5 市場預計將於 2020 年成形，2021 年將佔據 DRAM 市場 25％ 份額。身為記憶體產品製造商的 SK hynix，宣布利用 1Ynm 製程技術成功製造符合 JEDEC 標準的 DDR5，單顆封裝達 16Gb，速度可達 DDR5-5200。
負責制定半導體相關規範的 JEDEC 組織，於 DDR4 時代制定 DDR4-1600～DDR4-3200 速度相關規範，在符合 JEDEC DDR4-3200 規範的產品尚未大量出現在市場之際，記憶體製造商 SK hynix 已率先宣布成功利用 1Ynm（14nm～16nm）製程技術，生產符合 JEDEC 規範的 DDR5 記憶體。（註：DDR5 規範尚未正式推出）
該 DDR5 記憶體單顆封裝容量達 16Gb，依照單條 DIMM 能夠支援 8 顆或是 16 顆封裝計算，1 條 DDR5 記憶體模組容量即可達 16GB、32GB。速度部分則是提升至單 pin 腳 5200Mbps，也就是 DDR5-5200，相對 DDR4-3200 提升 62.5％ 傳輸速度，雙通道組態傳輸率達 82.4GB/s。
▲SK hynix 宣布推出 1Ynm 製程 DDR5，單顆封裝容量 16Gb，速度可達 DDR5-5200。
降低耗電量也是記憶體世代更迭發展重點之一，SK hynix 將電壓從 DDR4 的 1.2V 降低至 DDR5 1.1V，世代之間耗電量差異能夠降低 30％。SK hynix 預計從 2020 年開始才會將 DDR5 投入大量生產，屆時處理器內建記憶體控制器才會開始支援該規範。
資料來源
SK Hynix Inc. Announces 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM
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