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老帕開講,Intel執行長Pat Gelsinger分析半導製程狀況並預估發展速度將超越摩爾定律

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由Intel共同創辦人Gordon Moore提出的摩爾定律已經預估半導體產業發展近60年,Intel執行長Pat Gelsinger在Innovation 2021開幕演說重申摩爾定律還活得很好!

由Intel共同創辦人Gordon Moore提出的摩爾定律已經預估半導體產業發展近60年,Intel現任執行長Pat Gelsinger在Intel Innovation 2021開幕演說中重申摩爾定律還活得很好!

電晶體密度每2年增加1倍

根據維基百科記載,Gordon Moore於1965年4月19日在《電子學雜誌》(Electronics Magazine)發表的文中提到,半導體晶片上整合的電晶體和電阻數量將每年增加1倍。並在1975年發表於IEEE國際電子元件大會的論文中,根據當時的實際情況將摩爾定律進行為「每2年增加1倍」。

在摩爾定律提出將近50年的歷程後,半導體製程越來越接近物理極限,讓電晶體尺寸難以繼續縮小,因此讓摩爾定律是否能持續預測半導體發展遭到質疑,Pat Gelsinger則在Intel Innovation 2021開幕演說發表了最新的分析。

開幕演說影片的16分鐘40秒處,Pat先幫大家復習了一下1972到2021年間,Intel製程工藝的發展的軌跡。

影片摘要如下方圖文所示,也建議讀者先閱讀筆者撰寫的《半導體製程怎麼命名比較好?Intel:遵照摩爾定律走就對了》與《Intel發表全新製程節點命名規則,2024年開始2nm節點量產》文,以瞭解背景知識。

Pat Gelsinger在Intel Innovation 2021開幕演說回顧了Intel製程工藝的發產過程,讀者可以在這邊觀看重播。

1972年時,Intel使用換算等同於10,000nm的10µm製程生產8008處理器。

1974推出的8080處理器時,已進步至8µm製程。

Pat Gelsinger於1979年加入Intel,當時已推進至2µm製程。

將時間快轉到2003年,導入應變矽(Strained Silicon)、高介電(High-κ)材料,以及改善金屬閘極材料,讓製程縮小到50nm。

2011年完成商用實作的FinFET(鰭式場效電晶體)技術,顛覆傳統電晶體的設計方式,導致使用傳統命名方式已經不能適切反映電晶體結構特性,因此將製程命名為22nm節點。

2014年推出最為經典的14nm節點,彷彿昨日之事。

2020年的10nm節點Super FinFET技術能夠提升效能表現約20%。

老帕開講,Intel執行長Pat Gelsinger分析半導製程狀況並預估發展速度將超越摩爾定律

▲2021年最新的Alder Lake處理器,將採用改變命名規則的Intel 7節點。

未來Intel 20A製程節點將會導入RibbonFET、PowerVia等技術。

新一代革命即將到來

在Intel 2020年的架構日,就曾介紹過RibbonFET、PowerVia這2項會再次顛覆電晶體設計的技術,Pat Gelsinger宣稱這不但會讓Intel在未來10年能夠延續摩爾定律,甚至能帶來2倍於摩爾定律的開發速度。

RibbonFET是環繞式閘極(GAAFET)的實作,能夠讓原本FinFET技術中通道周圍只有3面與閘極接觸的情況,提升為4面都與閘極接觸,可以強化電路控制能力並有效提高時脈,同時降低漏電。

PowerVia則是將傳統電晶體中訊號與電力線路分離,並將電力線路放在由原本穿雜於晶圓內部移動到晶圓背面,也能發揮降低訊號干擾並提高時脈,以及降低漏電的效果。

RibbonFET的通道4面都與閘極接觸,可以強化電路控制能力並有效提高時脈,同時降低漏電。

在設計過程中,可以增加通道厚度與寬度,提升處理器的運算效能。

如果考量省電的話,可以在設計時增加通道但縮小尺寸,以降低功耗與漏電。

在CMOS技術中,配對的NMOS與PMOS是以水平方式排列,較占用晶圓面積。

Intel正在研發以立體方式堆疊的CMOS,能夠進一部減少占用面積。

PowerVia透過將訊號與電力線路分離,發揮降低訊號干擾並提高時脈的效果。

老帕開講,Intel執行長Pat Gelsinger分析半導製程狀況並預估發展速度將超越摩爾定律

▲Pat Gelsinger宣稱摩爾定律不死(Moore’s law is alive and well.),而且在未來10年內發展速度可能超車摩爾定律當初的預測。

▲更多RibbonFET與PowerVia的介紹,可以參考這支影片的詳細說明。

我們很快就會在11月4日看到採用Intel 7節點製程的Alder Lake處理器的真正效能實力,而預計於Intel 20A節點製程導入的RibbonFET與PowerVia是否會引爆技術革命,就讓我們繼續看下去。

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