搶先台積電，Intel買下ASML首款最先進High-NA EUV曝光機、每小時200片以上晶圓產能

ASML 和英特爾（Intel）公司宣布，作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的框架內容，英特爾已向 ASML 下訂業界首台 TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單；這是款具備 High-NA 的極紫外光（EUV）大量生產系統，每小時具備 200 片以上晶圓產能。

英特爾的遠見和對 ASML High-NA EUV 的早期承諾，為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV 系統，ASML 持續創新拓展 EUV 路線圖，進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量，提供驅動晶片產業下個 10 年所需要的良好經濟規模延展性。

英特爾於去年 7 月Accelarated 活動中宣布，其部署首款 High-NA 技術的計畫，藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系統的首位買家，透過今日所宣布的新訂購案，其合作關係將隨著英特爾於 2025 年開始以高數值孔徑 EUV 進行生產製造而延續下去。

英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理 Ann Kelleher 博士指出，英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位，去年 Intel 持續不斷地打造 EUV 專業知識和能力，透過與 ASML 的密切合作，我們將汲取 High-NA EUV 的高階析度圖案化優勢，作為延續摩爾定律的其中一個方式，並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。

EXE 平台為 EUV技 術的演化步驟，其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系統，與之前 EUV 機器所具備的 0.33 數值孔徑鏡片相比，提供精確度提升的 0.55 數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化，系統所具備的數值孔徑結合其使用波長，決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA 為 2025 年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在 2021 年的投資者關係日，ASML 分享其 EUV 路線圖規劃，並表示 High-NA 技術有望自 2025 開始支援生產製造。