Anandtech網站的核心編輯Ian Cutress日前受邀參觀了Intel在俄勒岡州的D1X工廠,他表示在那裡看到了一些EUV生產設備,不過具體有多少就不能說了。
過去幾年中Intel在晶片工藝上被認為落後於台積電、三星,一個重要原因就是沒有及時跟進EUV工藝,讓兩家對手搶先量產了7nm、5nm等工藝,不過Intel這一年來變化很大,也對EUV曝光工藝開始認真了,加速推進新工藝量產。
Anandtech網站的核心編輯Ian Cutress日前受邀參觀了Intel在俄勒岡州的D1X工廠,他表示在那裡看到了一些EUV生產設備,不過具體有多少就不能說了,顯然這是Intel的商業機密,不能對外透露。
1月底,Intel宣佈了一批EUV設備進廠,不過當時進場安裝的是歐洲愛爾蘭的Fab 34晶圓廠,那是一台曝光膠顯影設備(lithography resist track),將與EUV極紫外掃描器搭檔,首先為矽晶圓覆上精密的塗層,然後進入EUV掃描器,進行曝光,接著晶圓回到曝光設備,再進行一系列的高精密光顯影、清理操作。
愛爾蘭的Fab 34晶圓廠未來會量產Intel 4工藝,也就是之前的7nm工藝,這是Intel首個使用EUV曝光機的工藝,2023年的14代Core Metor Lake處理器會首發該工藝。
不過Intel在EUV曝光機上的野心很大,重點會放在下一代EUV曝光機上,已經搶先訂購了NA 0.55高數值孔徑EUV曝光機,據說成本高達3億美元,約合19億元。
相比目前NA 0.33的EUV曝光機,Intel購買的新一代曝光機可以量產更先進的CPU工藝,未來的20A、18A工藝都會使用,最快2025年量產。
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