英特爾誓言2025年重返製程領先，下一代Intel 4效能提升20%以上

英特爾（Intel）近期於美國檀香山舉行的年度 VLSI 國際研討會中，公布下一代 Intel 4 製程的技術細節。

Intel 表示，相較於 Intel 7，Intel 4 於相同功耗提升 20％ 以上的效能，高效能元件庫（library cell）的密度則是 2 倍，官方更誓言將用 Meteor Lake 處理器產品，推進先進技術和製程模組，帶領公司於 2025 年重回製程領先地位。

Intel 4 於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical Dimension），持續朝向微縮的方向前行，並同時導入設計技術偕同最佳化，縮小單一元件的尺寸。透過 FinFET 材料與結構上的改良提升效能，Intel 4 單一 N 型半導體或是 P 型半導體，其鰭片數量從 Intel 7 高效能元件庫的 4 片降低至 3 片。

綜合上述技術，使得 Intel 4 能夠大幅增加邏輯元件密度，並縮減路徑延遲和降低功耗。

Intel 7 已導入自對準四重成像技術（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP）和主動元件閘極上接點（Contact Over Active Gate、COAG）技術來提升邏輯密度。前者透過單次微影和兩次沉積、蝕刻步驟，將晶圓上的微影圖案縮小 4 倍，且沒有多次微影層疊對準的問題；後者則是將閘極接點直接設在閘極上方，而非傳統設在閘極的一側，進而提升元件密度。

Intel 4 更進一步加入網格布線方案（gridded layout scheme），簡單化並規律化電路布線，提升效能同時並改善生產良率。

隨著製程微縮，電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小；導線的電阻和線路直徑呈現反比，該如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。

Intel 4 採用新的金屬配方稱之為強化銅（Enhanced Cu），使用銅做為導線、接點的主體，取代 Intel 7 所使用的鈷，外層再使用鈷、鉭包覆；此配方兼具銅的低電阻特性，並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位，進而讓電路失效的電遷移（electromigration）現象，為 Intel 3 和未來的製程打下基礎。

將光罩圖案成像至晶圓上的最重要改變，可能在於廣泛的使用 EUV 來簡化製程。英特爾在現有解決方案中的最關鍵層使用 EUV，而且在 Intel 4 的較高互連層中使用 EUV，大幅度減少光罩數量和製程步驟，未來 Intel 更將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV 系統。