2nm晶片研發遭遇瓶頸:沒ASML下一代NA EUV曝光機搞不定
在業內,比Intel、台積電、三星還要早就能接觸到ASML曝光機新品的是比利時微電子研究中心(IMEC),雖然名氣不大,但其實它是世界上最大的半導體專門研究機構。尤其是在地緣關係上,因為兩個機構離得近,ASML的原型試做機,往往在完工後就第一時間送交IMEC評估。
日前,IMEC首席執行長Luc Van den hove在公開路線圖時表示,當前的EUV曝光設備其實可以響應到2nm的微縮水準,不過,想要超越,必須要靠下一代高NA EUV曝光機。
他建議ASML在未來3年內,全力投入產能到高NA曝光機上。
數值孔徑(英語:NA, Numerical aperture)是光學系統的一個無因次數,用以衡量該系統能夠收集的光的角度範圍。在光學的不同領域,數值孔徑的精確定義略有不同。在光學顯微鏡領域,數值孔徑描述了物鏡收光錐角的大小,而後者決定了顯微鏡收光能力和空間解析度;在光纖領域,數值孔徑則描述了光進出光纖時的錐角大小。
所謂高NA也就是曝光機的透鏡和反射鏡數值孔徑達到0.55,進而增加曝光解析度,以便製備更精密的為電路圖像。相對來說,目前的EUV曝光機均停留在0.33的水準。
一切順利的話,ASML會在明年推出其首款高NA EUV曝光機,Intel、三星和台積電都爭相第一時間部署進廠,其中Intel下手最快。
這款曝光機價值高達4億美元(約合120億台幣),組裝好的體積有雙層巴士大、重超200噸。
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