美光科技宣布，開始為特定智慧型手機製造商與晶片組合作夥伴提供 1β（1-beta）DRAM 技術的驗證樣品，全球最先進的 DRAM 製程節點 1β 的量產全面就緒。此新世代製程技術將率先用在美光的 LPDDR5X 行動記憶體上，最高速度來到每秒 8.5 Gb 等級。1β 節點顯著提高效能、位元密度，並改進功耗，這將帶來全面的市場優勢。除行動裝置外，1β 帶來的低延遲、低功耗、高性能 DRAM，更可支援各種高度回應式服務、即時服務、體驗的個人化與脈絡化，從智慧車輛到資料中心均可受惠。
1β 是全球最先進的 DRAM 製程節點，象徵美光自 2021 年 1α (1-alpha) 製程量產以來，市場領導地位再下一城。1β 節點降低功耗約 15%，提升位元密度超過 35% ，每顆晶粒容量可達 16Gb。
隨著 LPDDR5X 開始送樣，行動裝置生態系將率先受惠於 1β DRAM 所帶來的效能顯著提升，這將使得新一代的行動創新與先進的智慧型手機體驗成為可能，同時功耗更低。憑藉 1β 速度與密度，高頻寬使用情境將變得更加靈敏和流暢，不論是下載、啟動，或同時使用需要大量資料的 5G 和人工智慧（AI）應用程式。此外，使用 1β 製程的 LPDDR5X 不僅將強化智慧型手機相機的啟動、夜間模式、人像模式攝影，提高速度和清晰度，還可實現防手震、高解析度的 8K 影片錄製，以及在手機上直覺地編輯影片。
1β 製程技術的單位位元功率更低，為智慧型手機提供了市場上最節能的記憶體技術。智慧型手機製造商因此得以設計出電池續航力更久的裝置 — 有鑑於消費者希望在使用耗能、資料密集型的應用時，電池續航力能夠更持久，這點尤其重要。
功耗降低的另一功臣，則是這款採用 1β 節點的 LPDDR5X 所應用的全新 JEDEC 增強型動態電壓與頻率調整核心技術（enhanced dynamic voltage and frequency scaling extensions core, eDVFSC）。在 DDR 產品類別加入速率可高達每秒 3,200Mb 的 eDVFSC，可強化節能控制，根據獨特的最終用戶使用模式，提高電源使用效率。
先進微影技術與奈米級製造能力
美光業界第一的 1β 節點可將更高的記憶體容量塞入更小的空間內，從而降低每位元資料的成本。DRAM 的進展，向來主要取決於如何在每平方毫米的半導體面積內，提供更多和更快的記憶體，這就需要縮小電路，將數十億個記憶體單元收納在約莫指甲大小的晶片中。幾十年來，隨著每個製程節點的演進，半導體產業每一兩年縮小晶片尺寸縮小一次；然而，隨著晶片變得越來越小，在晶圓上界定的電路圖便需要挑戰物理定律的極限。
儘管業界已開始改用新工具極紫外光設備來克服這些技術挑戰，美光仍利用先進奈米製造能力與微影技術來跳過尚在新興階段的極紫外光技術。這需要應用美光獨門的先進多重曝光技術和沈浸式微影能力，以最高精確度做出這些微小的電路特徵。節點進一步縮小帶來容量提升，可讓智慧型手機和物聯網裝置等體積較小的裝置涵納更多記憶體。
為了讓 1β 和 1α 製程發揮競爭優勢，美光過去幾年也積極推動卓越製造、提升工程技術能力、強化開創性研發。加速創新首先讓美光比競爭對手提前一年實現前所未有的 1α 節點量產，達成公司史上首次在 DRAM 和 NAND 兩個領域同時居於市場領導地位。 多年來，美光投資數十億美元，將晶圓廠轉變為先進、高度自動化、由人工智慧驅動的永續營運設施。其中也包括美光對日本廣島廠的投資，廣島廠將以 1β 製程量產 DRAM。
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