ASML 透露，將在今年年底前交付業界首台高 NA 極紫外（ EUV ）曝光機，這對下一代EUV 的開發是一個充滿希望的訊號。這台機器是 0.55 孔徑 (NA) Twinscan EXE:5000 測試機種 ，是為晶片製造商開發的，以便他們學習如何高效地使用高 NA 極紫外光曝光技術。
在這些研發工作之後，預計將於 2025 年開始批次生產使用高 NA 的晶片，屆時 ASML 將開始交付商業級 Twinscan EXE:5200 。
ASML 首席執行長 Peter Wennink 在接受路透社簡短採訪時說：「一些供應商在實際量產和向我們提供適當水準的技術品質方面遇到了一些困難，因此導致了一些延後。但事實上，首批產品仍將在今年出貨。」
目前，各種晶圓廠中最先進的 EUV 曝光機是 ASML 的 Twinscan NXE:3400C 和 NXE:3400D，配備 0.33 孔徑 (NA) 光學鏡片，解析度為 13 奈米。這樣的解析度適合在金屬間距介於 30 奈米和 38 奈米之間的製造技術上列印晶片。
然而，當金屬間距降至 30 奈米以下（節點超過 5 奈米）時，13 奈米的解析度就不夠用了，晶片製造商將不得不使用 EUV 雙圖案化和/或圖案成型技術。考慮到 EUV 雙圖案化既昂貴又充滿風險，業界正在開發 NA 值為 0.55 的 High-NA EUV 掃描器，以實現 8 奈米解析度，用於十年後半期的製造技術。
ASML 的高 NA 曝光機將再次改變半導體工廠的組態，因為它們不僅採用了新的光學技術，還需要新的更大的光源，這就需要新的工廠結構，從而導致大量投資。有各種報導指出，每台曝光機的投資將從 0.33 NA EUV 掃描器的 2 億多美元增加到近 4 億美元。
Intel 原本計畫在其 18A（1.8 奈米）生產節點上使用 ASML 的 High-NA 工具，該節點定於 2025 年進行大批次生產，與 ASML 預計交付 Twinscan EXE:5200 的時間相吻合。然而，Intel 後來將其 18A 生產的開始時間推遲到了 2024 年下半年，顯然是選擇使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D/3800E 的兩次曝光技術，以及應用材料公司的 Endura Sculpta 圖案成型系統，以減少 EUV 雙圖案化的使用。
Intel 預計將成為 ASML High-NA 曝光機的首批客戶，因此當 Intel 在今年時候收到該裝置時，其開發人員和工程師將能夠根據即將推出的生產工具調整 Intel 的技術。考慮到這些工具與 Intel 自己的製程節點計畫之間的時間差，他們將如何以及何時將這些工具建立到自己的技術中目前還是個未知數。由於 18A 預計將是一個長期節點，英特爾可能仍打算在其中使用 High-NA EUV，即使這一方案一開始並不可行。
與此同時，三星和台積電計畫於 2025 年底開始在其 2 奈米級節點（SF2、N2）上生產晶片。不過，High-NA 機器在它們的計畫中究竟佔多大比重仍然不為人所知。
加入電腦王Facebook粉絲團