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Samsung Z-NAND 是對付 Intel 3D XPoint 的好幫手?首款 SZ985 強調降低存取延遲時間

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Intel 3D XPoint 非揮發式記憶體近來在電腦系統內部的角色逐漸明朗,企業伺服器端推出 Optane SSD DC P4800X,消費市場則為 Optane SSD 900P,未來還有 DIMM 形式的產品陸續登場。而競爭對手 Samsung 此時也拿出了 Z-NAND 與 SZ985,同樣是以低存取延遲時間為賣點。

Intel 與美光共同合作研發的 3D XPoint 非揮發式記憶體自從發表以來,一舉一動均為鎂光燈注意的焦點,該記憶體結合快速、低延遲、高耐用度等多種面向,試圖於傳統系統記憶體和 SSD 之間再切出 1 塊嶄新的市場。目前已知產品在企業端將會推出 Optane SSD DC P4800X,未來也會具備 DIMM 形式;而消費端先前率先以傳統機械式硬碟加速器身分,推出 Optane Memory,近期則推出具備 U.2 或 HHHL 形式的 Optane SSD 900P,進攻頂級玩家市場。

另外一家快閃記憶體製造商 Samsung 近日發表 Z-NAND 與 HHHL 形式的 SZ985,同樣標榜低存取延遲時間,目標企業與資料中心使用環境,一般使用者無緣接觸。Z-NAND 究竟替原本的快閃記憶體形式加上何種變更並未詳細說明,僅知 Z-NAND 與該廠 V-NAND 同為 3D 快閃記憶體類型,內部加上特殊的電子線路,再配合設計過的控制器,能夠達成低存取延遲目標。


▲首款採用 Z-NAND 的產品為 SZ985,目前僅有 800GB 容量規格,使用 HHHL 介面卡外觀形式,電路板除了安放 Z-NAND 之外,似乎也有不少的 DRAM 作為快取使用。


▲SZ985 相關規格。

採用 Z-NAND 的首款產品為 SZ985,HHHL 外觀形式達成 800GB 容量,對外使用 PCIe 3.0 x4 傳輸通道,連續讀寫速度均可達 3.2GB/s,隨機讀寫 IPOS 分別為 750K/170K。延遲部分雖不若 Optane SSD DC P4800X 可以達到 10µs 等級,隨機讀寫也有 12-20µs 與 16µs 的表現,DWPD 雙方均為 30,也就是在保固年限內每日可寫入自身容量的 30 倍。

 

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