負責制定固態與半導體工業相關標準的 JEDEC，大家較為熟悉的業務內容為 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 以及 LPDDR、GDDR、HBM 等動態記憶體標準，近日發表 UFS 3.0 與 UFS 記憶卡 1.1 延伸規範，採用 MIPI M-PHY v4.1 以及 MIPI UniProSM v1.8 作為晶片互連規範，M-PHY HS-Gear4 則作為實體層，類似於網路分層傳輸概念，單通道即可達 11.6Gbps 的資料傳輸速率，而雙通道即享有 23.2Gbps。不過 MIPI M-PHY v4.1 使用 8b/10b 編碼模式，因此實際傳輸量需要打個 8 折。（UFS 2.1 最高使用 M-PHY HS-Gear3、單通道 5.8Gbps）
▲UFS 版本比較。
主要的 VCC 供電除了延續 3.3V 之外，往下新增 2.5V 供電電壓，具備更為省電的特性之外，也是為了支援新一代的快閃記憶體（TLC、3D 堆疊）。此外因應更廣泛的應用情境，UFS 3.0 新增延伸溫度範圍（-40℃～105℃）方便導入運作溫差範圍較大的車輛市場；在高溫應用場合，儲存單元的電子流失速率也會比較快一些，於此新增更新（refresh）功能，讓控制器能夠因應周遭溫度，自行判斷是否需要把資料移動並寫入另外的儲存單元，延長資料壽命。
UFS 3.0 未來除了應用在手機、平板、車輛內部的儲存裝置，代替過去的 eMMC 5.1、UFS 2.0/2.1；由 SCSI 架構模型延伸過來的規範，支援 TCQ（Tagged Command Queuing），更比 SD 協會的 UHS-III 624MB/s 半雙工傳輸模式快上許多。只是規範往往走在市場應用面的前方，未來預計推出的 Qualcomm Snapdragon 845、Samsung Exynos 9810 都沒有支援跡象。