JEDEC 預計今年夏天即可推出下一世代動態記憶體 DDR5 正式規範，但是前期設計與測試驗證早已如火如荼進行當中。電子設計自動化公司 Cadence 與 Micron 合作，在實驗室裡開發出第一款確實能夠運作的 DDR5 記憶體設備，包含控制器、實體層、記憶體顆粒，記憶體顆粒為 Micron 設計製造，並由 TSMS 7nm 製程產出。
這款實際可運作的 DDR5 平台實際運作速度為 4400MT/s，相比 DDR4-3200 快上許多，但是 Cadence 部落格文章提到，DDR5 相對 DDR4 而言依然是以增加容量為主，利用如垂直堆疊方式讓製造 16Gb 顆粒更為容易，核心記憶體運作方式相較過去沒有太大變化，同樣使用外部 I/O 提升傳輸速度。DDR5 規格預計將從 4400MT/s 開始，直至 6400MT/s，預計今年底或是明年初有少部分產品開始使用。
▲近期 DDR 記憶體進展時程。
DDR5 相對於 DDR4 記憶體，除了外部 I/O 傳輸速度提升之外，電壓預期將從 +1.2V 降低至 +1.1V，上拉 VDDQ 設計也會從資料匯流排進一步擴展至位址匯流排。此外由於處理器 Socket、記憶體佈線過長、量產電路板瑕疵、空記憶體模組槽位等不利於訊號傳輸完整性因素，DDR5 在控制器端資料匯流排也會導入 FFE（Feed-Forward Equalization）、CTLE（Continuous Time Linear Equalization）、DFE（Decision Feedback Equalization）等化器技術改善訊號傳輸品質，而 DFE 也會加入至記憶體模組的資料匯流排。
▲動態記憶體市場變化趨勢圖。
資料來源
DDR5 IP Test Chip Operates with Micron Prototype DRAM at 4400 MT/s
引言圖取自 Micron