邁入 15nm 先進製程世代，核心並未大風吹
▲ OCZ Trion 150 包裝內同樣只提供簡易說明指南，SSD Guru 之類工具軟體得自行在官網下載。
實際接觸到 Trion 150 似乎沒什麼好多說的，其改款重點如引言所敘述，更換顆粒並且強化韌體調校，性能等規格標示和 Trion 100 一致。不過這並非為了改款而改款，而是順應母集團 Toshiba 開始量產 15nm 製程 TLC 顆粒，導入取代既有 19nm 製程產物，是基於成本考量的必然結果。不只 OCZ 如此，Toshiba 策略夥伴 SanDisk 更早一步導入，而 Toshiba 自有品牌也有跟進。
明顯稍有變化之處是外觀處理，包裝與機身貼紙圖樣經過修改，看來比 Trion 100 更有現代感。其他部分則是如出一轍，提供 120、240、480、960GB 容量選擇，最高循序存取速度為讀取 550MB/s、寫入 530MB/s。設計耐用度依容量由小至大排列，分別是 30、60、120、240TBW（Total Bytes Written，總寫入位元組），提供 3 年 ShieldPlus 保固服務。
▲ Trion 150 在外觀稍作變化，強化企業標誌視覺感，拿掉以往有點累贅的產品類型字樣。
▲ Trion 150 外殼看來和 Trion 100 一樣，可嗅出降低成本的味道。
▲ Trion 150 外殼與電路板固定，都是使用卡榫機構，並未動用到任何 1 顆螺絲。
顆粒配置模式大改，寫入速度或許為考量
如先前介紹 Trion 100 所提到，該產品裡裡外外都充滿了公版的味道，並非自行開設機構、線路設計布局。此外，像是外殼與電路板都是利用卡榫結構固定，並未動用到任何 1 顆螺絲。Trion 150 也繼承了這些特性，其效益無非是能夠降低成本，差別在於控制器增加了導熱膠。畢竟即便是區區幾顆螺絲，省去螺絲與人工上鎖成本，利潤能積少成多是套公版的好處。
▲ 電路板線路布局一見如故，仍為控制器合作廠商的公版。
▲ 480GB 容量在電路板正反面配置 16 顆快閃記憶體，不像 Trion 100 採用短板，即使是 960GB 也只動用 4 顆顆粒而已。
我們所收到 Trion 150 樣品容量為 480GB，而先前測試評估的 Trion 100 是 960GB，可發現因應快閃記憶體顆粒封裝類型與總數量的不同，Trion 150 電路板換成普遍常見尺寸。其控制器維持採用標示 Toshiba 品牌的 TC58NC1000GSB-00，這是 Toshiba 與 Phison 合作客製化版本，其設計基礎算是常見的 PS3110-S10 這款 8 通道產品。
快閃記憶體方面，除了從 19nm 換成最新世代 15nm 顆粒，封裝形式也由 BGA 變更為 TSOP。以 960GB 的 Trion 100 為例，內部只動用區區 4 顆日本廠顆粒構成，顆粒本身屬於 8CE 堆疊封裝產品。Trion 150 顆粒外觀雖然打印台灣字樣，不排除只是在台灣切割、封裝而已，480GB 動用多達 16 顆顆粒構成，反推算出屬於 2CE 堆疊封裝類型。
▲ 主控制器並未異動，仍然母集團 Toshiba 的客製化產品。
▲ 快閃記憶體顆類型號 TH58TEG8THLTA20，共配置 16 顆構成 480GB 。
▲ 動態隨機存取記憶體為 Micron 製品，480GB 版只配置 1 顆，單顆容量 512MB 為 DDR3L-1600 規格。
Trion 150 顆粒配置規則，走回老路利用較多顆粒構成，我們推測是為了提升寫入速度之故。假定新的裸晶圓真實寫入速度約為 10MB/s，Trion 150 受測品 480GB 共有 32 個晶圓，那麼理論上限是能達到 320MB/s 之譜，反觀相同容量的 Trion 100 只有 16 個晶圓，可想而知理論上限僅有 160MB/s。以上只是簡單的顆粒搭配組合概念，實際上還有很多變因，這邊暫且不深入細究。
▲ CrystalDiskInfo 偵測資訊：支援 DevSleep 省電模式，官方規格標示進入此節能模式的運作耗電量為 6mW。
（下一頁還有：效能實測、總評）
概觀性能些微進步，真實寫入速度倍數提升
逐一來看 Trion 150 的概觀性能表現，ATTO Disk Benchmark 循序模式測得最高速度約為 556MB/s、寫入 532MB/s，而 I/O Comparison Random 隨機存取測試模式是讀取 510MB/s、寫入 531MB/s，與 Trion 100 相較是有略好一點。若是和相同容量的 Crucial BX200相比，Trion 150 讀取小幅度勝出，寫入因 BX200 未達 500MB/s 而拉開一段差距。
▲ ATTO Disk Benchmark - Neither 測試模式：最高存取速度約為讀取 556MB/s、寫入 532MB/s。
▲ ATTO Disk Benchmark - I/O Comparison Random 測試模式：最高存取速度約為讀取 510MB/s、寫入 531MB/s。
▲ ATTO Disk Benchmark - Overlapped I/O 測試模式：最高存取速度約為讀取 564MB/s、寫入 537MB/s。
Anvil’s Storage Utilities 測試結果是互有高低，Trion 150 480GB 對上 960GB 的 Trion 100，如此比較顯示讀取可能是 Trion 150 有小進步，但是寫入方面 Seq 4MB 和 4K QD16 項目，Trion 100 是有機會勝出。與 BX200 比一比，Trion 除了 4K 讀取稍微落後，寫入各項目表現都超越 BX200 不等幅度，如此差距不排除是控制器本質差異使然。
▲ Anvil’s Storage Utilities 測試：讀取 530.71MB/s、寫入 500.24MB/s，總評分 4649.96 分。
AS SSD Benchmark 稍有狀況，Trion 150 表現不再占有明顯優勢，除了 Seq 讀取之外全都落後 Trion 100，尤以 4K-64Thrd 寫入差距最大。撰稿期間，OCZ 曾提供這軟體的測試驗證參考資訊，可能確實是韌體哪裡水土不伏，因而沒能順利得到理想的跑分結果。這讓 BX200 有了超前機會，各測試項目互有高低，但是以評分模式來看，BX200 讀取子評分與總分都超前不少。
▲ AS SSD Benchmark 測試：子評分讀取 223分、寫入 454 分，總評分 806 分。
▲ AS SSD Compression-Benchmark 測試：讀與寫曲線相當很平穩，最高速度約為讀取 516MB/s、寫入 490MB/s。
CrystalDiskMark 由於存檔數據版本不同，故我們不便於做出絕對的評判，與自家兄弟兩相比較，我們不排除 Trion 100 在此跑分項目的表現可能是略好。至於對上 BX200 的時候，其實無須比較也可以預料到，讀取還是以 Trion 150 表現較佳。不過寫入部分和 AS SSD Benchmark 所得結果一樣有變動，Trion 150 贏在 Seq 類測試模式，4K 類 BX200 能夠迎頭追上並且超前。
▲ CrystalDiskMark 測試：Seq 項目測得速度落在讀取 553.3MB/s、寫入 526.1MB/s 上下。
再來同樣看到 PCMark 測試部分，Trion 150 取得成績為總分 4933 分，頻寬 214.52MB/s，對比總分 4907 分，頻寬 194.65 MB/s 的 Trion 100 來說，總得分差異甚微大可一視同仁。不過寫入頻寬提升約莫 10％，大致上已經跳脫產品容量差異這變數影響，和 BX200 相較亦維持領先地位，後者測試存檔成績為總分 4905 分，頻寬 200.81MB/s。
▲ PCMark 8：Storage 測試總分 4933 分，頻寬 214.52MB/s。
概觀性能測試最後要來看 HD Tune Pro 寫入表現，這能窺探廠商所宣稱的 SLC Cache 機制效果，超過設定容量之後比較趨於真實的寫入表現。Trion 100 寫入速度落在 100～125MB/s 之間，反觀 Trion 150 大多能達到 250MB/s 以上，可見新的顆粒搭配策略發揮了效用。至於 BX200 快取設定容量固然比較大，但是飽和之後速度驟降至 50～75MB/s 區間，兩相比較差 Trion 150 一大截。
▲ HD Tune Pro 測試：寫入最大值 419.1MB/s，超過快取範圍速度落在 250～300MB/s 之間，軟體測得平均值 270.6MB/s，可視為真實寫入速度參考值。
寫入掉速控制進步，惟整體平衡還能更好
再來進入我們比較看重的性能一致性測試階段，首先來看 ULINK DriveMaster 2012 測試平台，採用 4K 隨機寫入腳本的測試結果。可發現 Trion 150 韌體調校有顯著進步，寫入 50％ 容量仍然有 11481IOPS 表現，較對照組不到 7700IOPS 表現好上一截。而後差距開始逐漸縮小，直到模擬進入髒碟狀態的分水嶺 200％，Trion 150 所得結果為 1875IOPS，較照對組高出約 25％。
我們過去一再提到，台系控制器的韌體調校普遍不佳，如此測試大多落在 2000～3000IOPS 之間（泛指搭配 MLC 顆粒的產品），甚少遇到超過 4000IOPS 的產品。然而 Trion 150 不只領先對照組，還能夠逼近 MLC 設計方案平均範圍的低標，儘管仍然說不上是好但值得肯定。至於測試腳本附加平均值數據，Trion 150 讀取表現進化有限，同樣遠遠落後 BX200，但是寫入領先相當幅度。
▲ 4K 隨機寫入測試結果，平均參考值 4150IOPS、極端狀態 1875IOPS。
這次首度加入 Trim 這個測試腳本，儘管現在沒有存檔數據得以相互比較，但是我們未來會開始累積樣本。Trim 和前面的 4K 隨機寫入具有連帶關係式，以因果關係來說，透過 4K 隨機寫入模擬髒碟狀態是果。這是由於寫入性能變化和 GC（Garbage Collection，垃圾回收），以及區塊平均抹除（Wear Leveling）等機制有關，而廠商都將之和 Trim 視為一體，故 Trim 效率的高低是為因。
Trim 腳本是基於 JEDEC 218A Client Workload 測量基準進行，每執行 100K 個 I/O 指令會得到 1 組 IOPS 數據，該腳本並會自動計算出平均 IOPS 值，所得結果如下圖所示。另外，我們順道測試了 Performance consistency 性能一致性腳本，這是基於隨機 4K、 32 佇列深度，所得結果是以 99.9％ 最低 IOPS 和平均 IOPS 相除而來。
Performance consistency 如同 Trim 腳本，預設提供多種測試模式，我們是選用 4K 校正、讀與寫混合模式進行。這和 4K 隨機寫入腳本不同的地方在於，該腳本是用來觀察寫入速度變化，著眼點在於進入髒碟狀態後的寫入表現，而這支是用來觀察整體讀與寫的表現。所得結果很戲劇化，Trion 150 平均值表現最佳，但是總評價只有 2008IOPS，和 Trion 100 那 4085IOPS 表現相差甚遠。
▲ Trim 測試所得結果。
▲ 性能一致性測試結果顯示，Trion 100 反將 Trion 150 一軍。
顆粒牽一髮而動全身，調校足有長進
Trion 150 受測品為 480GB 容量，至於 Trion 100 存檔數據是 960GB 版本，故如此比較下來，Trion 150 略好的部分可以確定是進化結果，若有稍微落後之處也尚屬合理。此外有幾點值得留意，像是顆粒搭配組合的改變提升了真實寫入速度，而我們習慣用來觀察寫入速度變化的測試（即寫入掉速），結果顯示是有相當幅度進步。
至於需要再觀察的地方，概括來說是韌體調校可能還存在些許毛邊，像是 AS SSD Benchmark、DriveMaster 性能一致性腳本，都出現倒退嚕的結果。其實 Trion 100 推出之後，官方亦曾釋出提升性能的新版韌體，故我們認為這並不是什麼大問題。綜觀而言，在台灣能採購到的 TLC 設計方案產品之中，我們認為現階段應該是沒有比 Trion 150 更好的選擇。
廠商資訊
測試平台
- 處理器：Intel Core i7-4770K
- 主機板：Asus Z97-PRO（Wi-Fi ac）
- 記憶體：Kingston HyperX Genesis PnP DDR3-1600 4GB x 2
- 系統碟：Kingston HyperX SSD 240GB
- 作業系統：Windows 8.1 Pro 64bit 中文版
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