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速度堪比 SATA 6Gb/s 挑戰 SD 地位,Samsung 發表全球首款 UFS 記憶卡

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Samsung 日前發表全球首款 UFS 記憶卡,提供 32~256GB 多種容量選擇,技術宣示的意味相當濃厚。UFS 是 JEDEC 所主導新儲存裝置規範,企圖取代目前廣為應用的 eMMC 與 SD,基於資料傳輸架構設計優勢,光是 UFS 記憶卡的存取速度便足以挑戰 SATA 6Gb/s 固態硬碟。

SD(Secure Digital)記憶卡的應用相當普遍,為滿足專業人士與各式消費者,對於儲存容量和存取速度的需求,SD Association 暨廠商也相當致力於提升產品規格。不過 Samsung 相當積極參與,JEDEC 所推動性能更勝於 SD 的 UFS(Universal Flash Storage)規範,企圖與 SD 一較高下,爭取成為行動儲存性能解決方案。

Samsung 日前發表首款基於 UFS 1.0 Card Extension Standard 規範設計的記憶卡,提供 32、64、128、256GB 等多種容量選擇,宣稱能為高解析度錄影、數位單眼、3D VR 攝影機等應用,帶來超越以往的儲存體驗。這是全球首款 UFS 記憶卡產品,儘管外觀和 microSD/SDXC 記憶卡相似,但兩者之間是無法相容,而且目前也還沒有支援的硬體設備。


▲ Samsung 甫發表 UFS 記憶卡,最高容量為 256GB,外觀樣式與訊號腳位都和 microSD/SDXC 相似。

官方以 256GB 容量產品為例,表示循序存取速度可達讀取 530MB/s、寫入 170MB/s,這已經達到近乎 SATA 6Gb/s 固態硬碟的速度。反觀基於 UHS-II 規範設計的 microSD/SDXC 高階記憶卡,存取速度至多為讀取 275MB/s、寫入 250MB/s 左右,UFS 特別是讀取部分快上許多。官方更強調隨機存取速度達讀取 40000IOPS、寫入 35000IOPS,相較於速度約為讀取 1800IOPS、寫入100IOPS 的典型 microSD UHS-I 記憶卡,分別快上 20 與 350 倍之多。


▲ Samsung 結合 3D V-NAND 快閃記憶體技術,今年初所發表 UFS 2.0 產品容量達 256GB,反觀去年同時期產品只有 128GB 容量。

UFS 規範首次推出時間在 2011 年 2 月,競爭目標是當前普遍應用在行動裝置上的 eMMC(embedded Multi Media Card),2013 年 9 月頒布 UFS 2.0 規範,Samsung 在今年 2 月曾發表最新 UFS 2.0 嵌入式版本產品,容量達 256GB 而且標示性能超越 SATA 6Gb/s 固態硬碟。而今年 3 月 JEDEC 除了頒布 UFS 2.1 規範,同時還包含 UFS Card Extension Standard 1.0 這記憶卡規範,本質上是與 UFS 2.0 相容。


▲ UFS 特性、效益相關資訊。

儘管 SD Association 一再提升性能規格,但 UFS 使用 M-PHY 與 UniPro 實體、鏈結層,並結合SCSI 資料傳輸架構與通訊協定,能夠支援指令佇列(Command Queuing )。這正中 SD 記憶卡的罩門,SD 即便最高循序存取速度達 200MB/s 以上,隨機存取速度卻限制於資料傳輸架構。儘管 UFS 產品目前由 Samsung 唱獨角戲,然而有 JEDEC 與 Universal Flash Storage Association 推動,是很有機會成為未來的新高速儲存裝置主流。


▲ UFS 2.0 與 eMMC 5.0 重點規格特性比較表。

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