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DDR5記憶體初期目標速度4800Mbps
SK Hynix於2018年11月，成功開發充16Gb DDR5 DRAM記憶體晶片，並符合JEDEC固態技術協會（JEDEC Solid State Technology Association）制定的標準。接著SK Hynix也於日前表示將於2020年開始量產DDR5記憶體晶片，並持續研發DRAM技術，以更高效能與可靠度的產品引領下一代半導體。
SK Hynix DRAM產品企劃負責人Sungsoo Ryu表示，在5G、自駕車、AI、AR、VR、大數據等應用引領的第4次工業革命中，DDR5記憶體可在次世代高性能運算（High Performance Computing，HPC）與以AI為基礎的數據分析中扮演關鍵角色。DDR5記憶體能夠將儲存密度提高到每個顆粒16Gb甚至24Gb，對於伺服器應用來說相當具有競爭優勢。
SK Hynix也表示隨著處理器核心數的上升，4、6核心處理器甚至是伺服器用的64核心處理器都越來越普及，而隨著核心數成長，系統對記憶體頻寬的需要也隨之增加。
回顧先前從DDR3過渡到DDR4時，每個DIMM插槽的頻寬從1600Mbps成長至2133Mbps，增幅為33％，而在研發DDR5時， SK Hynix直接將目標定在4800Mbps，也就是說與DDR4的3200Mbps相比有50%00Mbp增益，而長期目標則放在DDR4的2倍，也就是說下波目標將會是頻寬為6400Mbps的DDR5記憶體，最終甚至可望將頻寬推升至8400Mbps。
改善架構提升效能
為了提高記憶體的存取效能，DDR8採用由8個Bank Group組成的32 Bank（可以單獨啟用/停用的存儲單元）架構，比DDR4由4個Bank Group組成的16 Bank架構，多出1倍的存取可用性（Access Availability）。而DDR5的Burst Length（DRAM單個讀/寫指令可以存取的資料量）從DDR4的8增加到16，也是增加效能的關鍵功能。
不同於DDR4在更新（Refresh）時無法執行其他操作，DDR5則透過Same Bank Refresh功能，讓系統可以在更新某些Bank的時候，存取其他Bank的資料，另一方面DDR5也透過決策回饋等化器（Decision Feedback Equalization，DFE）消除雜訊，以增加整體效能表現。
在電力消耗部分，DDR5的工作電壓為1.1V，低於DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上。
根據市場研究公司International Data Corporation提供的調查報告，DDR5的需求預計從2020年開始增長，並可在2021年奪下DRAM市場的22％，到2022年成長至43%，而個人電腦、消費性產品也應該會跟隨伺服器的步調，逐漸轉從DDR4過渡至DDR5。