前不久Intel宣佈即將舉行一次重要會議，今天凌晨這個會議正式召開，介紹了Intel在晶片製程及封裝上的進展，其中一個重要內容就是全新的CPU製程路線圖。而且Intel真的改名了，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A。
Intel是堅定的摩爾定律捍衛者，儘管每代製程的技術指標是最強的，但在進度上確實已經落後於台積電、三星，才量產了10nm製程，台積電已經是第二代5nm工藝了，明年還有3nm工藝。
在製程命名上始終落後對手，對Intel來說宣傳很不利，先前有網友調侃說Intel應該把10nm改成7nm，畢竟他們的晶體管指標確實達到甚至超過了台積電7nm的水準，沒想到這個調侃成真，Intel這次真的改名了，但改的方式也有點獨特。
先前的10nm Enhanced SuperFin製程改為Intel 7——對，沒有7nm字樣，官方就叫做Intel 7，你當7nm也行，但Intel沒明說是7nm。
相比Tiger Lkae上的10nm Superfin製程，Intel 7的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介紹性能提升的方式也變了，說的是每瓦性能），首先用於今年底的Alder Lake，資料中心用的處理器Sapphire Rapids則會在明年用到Intel 7。
Intel原先的7nm製程則會改名為Intel 4，這會是Intel首個EUV極紫外光技術的FinFET，每瓦性能提升20%，2022年下半年開始生產，2023年產品出貨，就是之前的7nm Meteor Lake處理器。
Intel 4之後是Intel 3，是最後一代改良版FinFET技術，每瓦性能提升18%，2023年下半年開始生產。
再往後Intel也會放棄FinFET電晶體技術，轉向GAA電晶體，新技術名為Intel 20A，會升級到兩大突破性技術——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel獨創的供電技術，後者是GAA電晶體的Intel技術實現，預計2024年問世。
2025年及之後的技術還在開發中，命名為Intel 18A，會繼續改進RibbonFET技術，同時會用上ASML下一代的高NA EUV曝光機，量產時間不定。
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