動態隨機存取記憶體與快閃記憶體持續喊漲，主要原因是市場各式需求大增，其次為晶圓廠產能策略調整。現今有太多電子裝置會用到這兩類產品，智慧型手機的配備規格直逼個人電腦，是這波漲勢關鍵之一。像旗艦機種所配備記憶體，3～4GB 容量算是基本值，有些廠商更喊出要直上 8GB，而內部儲存空間 64 甚至 128GB 也司空見慣。
除了智慧型手機需求大增，先前我們曾提過如伺服器市場，在 2016 年的需求量轉趨強勁，這和智慧型手機更加普及化有所關聯。像是大家日常所使用 Facebook 等各式網路服務，隨著使用者人數與上傳內容數量增加，服務商自然有擴建機房設備的必要。伺服器少不了記憶體模組，甚至是極大量的儲存設備，可見這波漲勢環環相扣。
▲ DRAMeXchange 最新動態隨機存取記憶體合約價格參考資訊。（引用自 DRAMeXchange）
各式動態隨機存取記憶體的合約價格，最近幾個月以來的平均漲幅達 15～30% 不等，雖然市場供需失衡，晶圓廠想要增加產能也有些分身乏術。被指是動態隨機存取記憶體漲價主要推手的 Samsung，據悉絕大多數產能已經由自家手機，以及 Apple 等廠商所包下。想當然耳，還可以供應其他手機廠、伺服器與個人電腦記憶體的產能，自然是相對有限。
Samsung 在半導體製程轉換，以及生產良率等方面都占有相對優勢，較 Micron、SK hynix 等競爭對手來得順利又早。因此即便其他廠商想盡辦法擴充產能，看似能改善市場供需失衡問題並增加營收，基於成本因素實質獲利卻不見得會有多麼理想。想當然耳，其他廠商自然不會去做這種殺敵一千、自傷八百的舉動，倒不如沾光坐收漁翁之利。
▲ DDR4 模組零售通路市場參考價格資訊。以 Micron DDR4-2133 8GB 模組為例，去年 6 月底價格僅 850 元，現在已經漲到 1,429 元，漲幅約為 68% 之多。（引用自 原價屋）
快閃記憶體供需失衡同理，尤其晶圓廠想要增加供應量也不是那麼容易，畢竟產能和動態隨機存取記憶體有連動關係式。再者，Samsung、Micron、Toshiba、SK hynix 幾大廠，近來陸續積極加速轉進 3D NAND 製程世代。但是過程當然沒有那麼順利，而且各家目前所能做到的堆疊數量不一，以致實際供應量說不上是很充裕。
更甚者，為了增加 3D NAND 產能與出貨量占比，廠商還策略性減少傳統 2D 架構產品供應量。這跡象在去年中即可察覺，上、下游市場不斷傳出缺貨的消息，這讓下游的固態硬碟製造商只能減產，並且加速開案導入 3D NAND 因應。這問題也被預估將會加重，2D NAND 在總出貨量總占比，今年下半年可能剩下不到 50%。
▲ DRAMeXchange 最新快閃記憶體合約價格參考資訊。（引用自 DRAMeXchange）
總而言之，動態隨機存取記憶體與快閃記憶體漲聲響起，影響範圍可謂相當全面性。即使是一再被唱衰的個人電腦，記憶體模組價格老早已經漲了，至於固態硬碟是製造商硬撐著，可預期今年價格應該難以再創新低。眼看農曆年即將到來，打算升級、新組裝電腦的人，可別以為最近漲價的產品只是因為紅包行情，記憶體模組甚至是固態硬碟還會貴一陣子。
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