當晶圓來到了2nm以下的時候，ASML的曝光機越來越大，而且價格也越來越驚人。不過，其實目前在晶圓製作的過程中，在曝光這一過程除了純粹光學的技術之外，還有其他方法也可以製作半導體所需的精細圖案。
其中最受矚目的一項技術就是奈米壓印微影（Nano Imprint Lithography；NIL），先前已經被證明解析度可以達10nm以下。NIL技術主要由日本所開發主導，佳能（Canon）在90年代未能接受美國授權EUV技術後即轉向NIL方向發展。
Canon在今年10月13日宣佈推出可以製造尖端晶片的奈米壓印（Nanoprinted lithography，NIL）裝置FPA-1200NZ2C之後，佳能首席執行長御手洗富士夫近日在接受採訪時再度表示，該公司新的奈米壓印技術將為小型半導體製造商生產先進晶片開闢一條道路，使得生產先進晶片的技術不再只有少數大型半導體製造商所獨享。
奈米壓印技術並不利用光學圖像投影的原理將積體電路的微觀結構轉移到矽晶圓上，而是更類似於印刷技術，直接透過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置形成複雜的2D或3D電路圖。
目前EUV曝光機成本高昂
當下的5nm製程的先進半導體製造裝置市場，則由ASML的EUV曝光機所壟斷，單台價格約1.5億美元。
對於接下來更為先進的2nm及以下製程的晶片，ASML也推出了成本更為高昂的High-NA EUV曝光機，單台價格或將超過3億美元，這也使得尖端製程所需的成本越來越高。
相比之下，佳能的目前奈米壓印技術將可以使得晶片製造商不依賴於EUV曝光機就能生產最小5nm製程節點的邏輯半導體。
佳能半導體裝置業務部長岩本和德還表示，如果改進光罩，奈米壓印甚至可以生產2nm先進製程的晶片。
奈米壓印技術裝置價格僅為EUV曝光機的10%
佳能的奈米壓印技術或許將有機會幫助佳能縮小其與ASML的差距。
更為關鍵的是，佳能的奈米壓印裝置成本和製造成本都遠低於ASML的EUV曝光機。岩本和德表示，客戶的成本因條件而異，據估算1次壓印工序所需要的成本，有時能降至傳統曝光裝置工序的一半。而且，因為奈米壓印裝置的規模較小，在研發等用途方面也更容易引進。
佳能CEO御手洗富士夫先前曾表示，該公司的奈米壓印裝置的「價格將比ASML的EUV曝光機低一位數（即僅有10%）」。
在客戶方面，佳能表示目前收到了半導體廠商、大學、研究所的很多諮詢，以期待作為EUV裝置的替代產品，使奈米壓印裝置備受期待。預計，該裝置將可用於快閃記憶體、個人電腦用DRAM，以及邏輯等多種半導體生產用途上。
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