GDDR6 為目前廣泛使用的 GDDR5 顯示記憶體的下一世代產品，將根據 DDR4 的技術規格進行延伸，因此也會額外需要供應 Vpp 電壓，而 GDDR5X 則為 Micron 獨立製造並銷售的 GDDR5 加強型產品，以 NVIDIA 高階顯示卡為使用大宗，GDDR5 和 GDDR5X 速度分別約為 7~8Gbps 和 10~12Gbps 左右。此外還有 HBM 與 HBM2 記憶體，消費市場上主要使用對象以 AMD 的高階顯示卡為主，但因為此類記憶體比較不追求高時脈，而是追求更寬的資料傳輸位元通道，與顯示晶片需要使用載板（interposer）相互連接後再封裝至基板，與 GDDR5 和 GDDR5X 能夠透過電路板和顯示晶片連接相比，製造難度比較高也比較貴。
▲Samsung 的 GDDR6 獲得 CES 創新獎項，連帶稍微掀開該產品規格資訊的神秘面紗。
近日 CES 開始公布創新獎得獎名單，Samsung 製造的 GDDR6 顯示記憶體也在名單之列，根據該公司新聞稿，GDDR6 傳輸速度已可達 16Gbps，單一封裝晶片 32bit 通道寬度即為 64GB/s，為目前 GDDR5 的 2 倍之譜，也超越 GDDR5X 的傳輸速度，為下一世代顯示卡提供足夠的存取頻寬，單顆封裝容量有望從 8Gb 起跳，對於 AMD 來說也不必再使用比較貴又比較麻煩的 HBM2。
GDDR6 電壓將從 GDDR5 的 1.5V 降至 1.35V，更為省電也是記憶體世代更迭的重要目標之一。根據市場消息，GDDR6 看來會在 2017 年底至 2018 年開始正式量產，AMD 的 Navi 和 NVIDIA 的 Volta 可望率先使用。當然除了 Samsung 之外，SK hynix、Micron 等記憶體製造大廠也會投身 GDDR6 的製造之列。