Micron E-die 再次發威，Ballistix Elite DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 雙通道套裝超頻實測

Micron E-die 世代版本 DDR4 記憶體問世以來，超頻性獲得市場普遍好評，再加上總是能端出親民售價，成為不少人裝機、升級的選擇之一。通路電競品牌 Ballistix 近日推出 Elite 等級 XMP DDR4-4000 速度版本，2 條 8GB 記憶體模組也抵達電腦王編輯部，就讓我們一同來探探虛實。

Micron E-die 超頻性佳

Micron DDR4 記憶體顆粒 E 世代版本，採用自家 20nm 以下，1x nm（19 nm）製程製造的產品，不僅超頻性與 Samsung B-die 與 SK hynix CJR 位列同一等級，更對 AMD Zen、Zen+、Zen 2 微架構有著不錯的親和性，在某種程度上解決 AMD 平台與 DDR4 記憶體的搭配問題，獲得許多玩家的歡迎。

Micron 旗下 Ballistix 通路電競品牌，近日透過其中最高階的 Elite 推出 DDR4-3600、DDR4-4000 等效時脈等級，以 8GB 單條單 rank 模組組成雙通道 16GB 套裝或是 4 通道 32GB 套裝販售，於此同時電腦王編輯部也取得 DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 雙通道套裝，除了常見的 Intel、AMD 雙平台 JEDEC、XMP 速度效能測試，更要來探一探這款記憶體模組的超頻性。

 ▲ Ballistix Elite 定位在高階系列，因而採用紙盒磁吸包裝方式，電腦王編輯部此次取得 DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 套裝進行測試。

 ▲ Ballistix Elite 盒裝背面以正體中文在內的多國語言標示特色，只是台灣第三行夾雜日文應予修正。

Micron Ballistix Elite DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit BLE2K8G4D40BEEAK 規格

• 記憶體：DDR4
• 容量：8GB x 2
• 規格尺寸：DIMM
• 等效時脈：2666MHz、4000MHz（XMP 2.0）
• 時序：19-19-19-43、18-19-19-39（XMP 2.0）
• 電壓：1.2V、1.35V（XMP 2.0）

XMP 飆上 DDR-4000

此次 Ballistix Elite 一共推出 DDR4-3600 和 DDR4-4000 2 種速度等級產品、其中前者已於台灣市場上市，DDR4-4000 版本也將於近期開始鋪貨。Ballistix Elite 仍舊採用一貫的軍武設計風格，但是散熱片設計相對 Sport 等級複雜得多，記憶體模組正、反面採用消光黑散熱片覆蓋，並透過 2 片散熱片相互貼合創造縷空與沖壓凹凸表面。

這 2 片散熱片使用導熱膠貼於記憶體顆粒，模組上方再加裝 1 個金屬多邊造型蓋，此造型蓋結合戰術導軌魚骨設計概念，切銷出一格一格的外觀造型。廠商當然也沒有放過品牌宣傳的契機，記憶體模組 3 面均印製「BALLISTIX by Micron」字樣圖形，並於一隅標示 3 線 3 星的 Elite 標誌。

 ▲ 卸除外包裝紙盒，Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組透過塑膠盒固定不亂跑。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組正反面一覽。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組正反面散熱片形狀與印製圖樣一致，其中 1 面的「BALLISTIX by Micron」字樣圖形由產品標示貼紙與序號貼紙代替。

 ▲ 這組 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 套裝 XMP 設定值採用 18-19-19-39 時序、1.35V 電壓。

 ▲ 記憶體模組頂部散熱片採用戰術導軌、魚骨的造型概念，切銷出一格格外觀，中央同樣也印製「BALLISTIX by Micron」字樣圖形。

 ▲ 散熱片一隅印製 3 線 3 星的 Elite 標誌。

Ballistix Elite 與 Ballistix Tactical Tracer RGB 相同，負責放置記憶體模組時序資訊的 SPD EEPROM 均採用內建溫度感應器的版本，可透過 SMBus 回傳溫度資訊。Micron 在此提供 Ballistix M.O.D. 公用程式，於 Windows 作業系統安裝之後可讀取 SPD 時序，亦可獲取每條記憶體模組的溫度資訊，或是以半透明視窗顯示於桌面一隅。

 ▲ Ballistix M.O.D. 公用程式可以用來讀取記憶體模組 SPD 資訊、溫度資訊、控制 Ballistix Tactical Tracer RGB 的發光效果。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組溫度示意，於 Windows 10 桌面待機分別為 31℃ 與 32℃。（室溫 25℃）。

 ▲ Ballistix M.O.D. 公用程式設定頁面亦提供紀錄檔功能。

 ▲ 記憶體模組溫度資訊能夠以半透明視窗方式，放置於桌面角落一隅，以便在不影響日常作業的情況下即時監控。

原生 DDR4-2666 特選顆粒

卸除 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組的散熱片，可以發現電路板設計採用 A2 版本，記憶體封裝顆粒以 4 個 1 組的方式向電路板左、右 2 邊靠攏，以便縮短與資料金手指的距離。顆粒封裝並未如同一般 Micron 產品以雷射刻上 10 碼編號，明眼僅可見 CPG 字樣，此為消費者產品事業群 Consumer Products Group 的縮寫。

 ▲ 卸除 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組的散熱片，可以見到記憶體顆粒以 4 個 1 組的方式位於電路板左、右 2 側，此為 A2 版本設計。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組封裝顆粒沒有印製常見的 10 碼編號，僅有代表消費者產品事業群 Consumer Products Group 的 CPG 縮寫。

實際上機以 Thaiphoon Burner 讀取 SPD 資訊，可以發現這款記憶體模組採用 Micron D9VPP 顆粒，對應 MT40A1G8SA-075:E，冒號之後的 E 字樣即為 E 版本，市場俗稱 E-die 顆粒；-075 表示速度等級，1 個時脈為 0.75ns，換算後即為等效時脈 DDR4-2666，-075 表示時序值為 19-19-19，若是 -075E 則為 18-18-18。

SPD 內部除了放置一般 JEDEC DDR4-1333～DDR4-2666 標準時脈與時序，XMP 資訊則是包含了 DDR4-4000 18-19-19-39。SPD EEPROM 本體選用 Giantic GT34TS04 這款帶有溫度感應器的型號，溫度感應範圍為 -20℃～125℃，量測精度為 B 級，一般量測誤差 70℃～95℃ 為 ±0.5℃、40℃～125℃ 為 ±1℃、-20℃～125℃ 為 ±2℃。

 ▲ 透過 Thaiphoon Burner 讀取 SPD 資訊，可以發現 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組採用 MT40A1G8SA-075:E 封裝顆粒，原生 DDR4-2666 19-19-19，製造地為 Micron 總部美國愛達荷州波夕市。

 

（下一頁：Intel、AMD 雙平台超頻測試）

Intel、AMD DDR-4000 輕鬆跑

實測驗證效能，筆者仍舊選擇 Intel 和 AMD 雙平台，分別使用 Core i9-9900K 和 Asus ROG Maximus XI Extreme，以及 Ryzen 9 3900X 和 GIGABYTE X570 AORUS Master 的雙重組合，並選擇 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組的 JEDEC DDR4-2666 和 XMP DDR4-4000 等 2 個設定檔。

由於 Intel 平台良好的快取、記憶體階層一致性設計，記憶體等效頻率超過官方表定支援 DDR4-2666 雙通道之後，處理器運算效能差異並不大，唯有記憶體讀寫密集型應用才能感受到些許效能增長。搭配筆者手邊的硬體測試時，ROG Maximus XI Extreme 須將 Command Rate 固定在 2T 才可套用 XMP DDR4-4000，1T 並無法成功開機。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 裝設於 ROG Maximus XI Extreme 主機板時，可自動抓取 JEDEC DDR4-2666 19-19-19-43 時序，但 XMP DDR4-4000 18-19-19-39 的 Command Rate 無法設定於 1T，僅能以 2T 開機。

 ▲ Core i9-9900K 搭配 DDR4-2666、DDR4-4000 雙通道的 CPU-Z 效能表現在測試誤差值之內。

 ▲ Intel 平台 Cinebench R15 以 DDR4-4000 效能略高，相對 DDR4-2666 於單執行緒、多執行緒分別多出 1.4％ 和 3.1％。

 ▲ Cinebench R20 單執行緒以 DDR4-2666 表現為佳，504cb 高出 DDR4-4000 約 3.7％，DDR4-4000 則於多執行緒略有優勢，4901cb 高出 DDR4-2666 約 0.8％。

 ▲ 以 AIDA64 Cache＆Memory Benchmark 量測頻寬，DDR4-4000 無論是在讀寫速度或是存取延遲均有優勢，頻寬從 40000MB/s 以下躍升至 50000MB/s 以上，延遲則從 52.6ns 下降至 42.7ns。（點圖放大）

 ▲ PCMark 10 測試整個 Intel 平台的效能表現，DDR4-4000 獲得 3598 分、DDR4-2666 獲得 3552 分，整體效能增長約 1.3％。（點圖放大）

AMD 處理器微架構進入 Zen 2 世代後有些複雜，Infinity Fabric 和內建記憶體控制器運作時脈可以不相互掛勾，加上 AMD 繼續加強記憶體控制器的頻率特性，因此第三代 Ryzen 桌上型處理器能夠繳出不輸 Intel 平台的記憶體時脈表現。

FClk 和 MemClk 運作時脈不同時，資料跨過不同頻率域會增加一定的傳輸延遲時間，內部 Infinity Fabric 最高運作時脈大約在 1800MHz、1866MHz 左右，能夠飆上 1900MHz 以上的處理器實為少數；受到此項特性影響，第三代 Ryzen 桌上型處理器搭配的記憶體模組時脈較高，並不一定擁有更高的效能。

 ▲ X570 AORUS Master 於 JEDEC DDR4-2666 選擇 20-19-19-43 時序，XMP DDR4-4000 18-19-19-39 雖然能夠於 1T 開機（gear down mode），但此時 Infinity Fabric 採用記憶體時脈的一半運作。

 ▲ Ryzen 9 3900X CPU-Z 測試均以 DDR4-4000 快上一丁點，單執行緒和多執行緒分別提升約 0.3％ 和 0.15％。

 ▲ AMD 平台 Cinebench R15 單執行緒，雙方均為 201cb 沒有差異，多執行緒反到是 DDR4-4000 略為縮水 2cb。

 ▲ AMD 平台 Cinebench R20 單執行緒同樣是沒有差異的 489cb，多執行緒則是 DDR4-4000 表現略佳，從 DDR4-2666 的 6863cb 提升約 0.3％ 來到 6884cb。

 ▲ DDR4-2666 和 DDR4-4000 時脈相差甚遠，即便 DDR4-4000 的 Infinity Fabric 運作時脈僅為 1000MHz，記憶體讀寫頻寬和存取延遲仍舊優於 DDR4-2666。（點圖放大）

 ▲ PCMark 10 較為有感一些，AMD 平台 DDR4-4000 獲得 9007 分，相對 DDR4-2666 的 8835 分提升約 1.9％。（點圖放大）

AMD 平台飆上 DDR4-4600！

Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 搭配筆者手上 Core i9-9900K 處理器和 ROG Maximus XI Extreme 主機板，再超頻性並不高，只能以 XMP DDR4-4000 18-19-19-39 基礎再往上提升等效時脈 100MHz 達 DDR4-4100，電壓則維持 1.35V，調整至 1.4V 並未有任何起色。當然，超頻成功與否，均以是否能通過 MemTest86 1Pass 為基礎。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組搭配 Core i9-9900K 和 ROG Maximus XI Extreme，等效時脈能夠以 XMP 設定值為基礎再提升 100MHz。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 於 Intel 平台以 DDR4-4100 通過 MemTest 86 1Pass 翻拍畫面。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組等效時脈提升之後，AIDA64 記憶體讀寫頻寬能夠再度往上提升，存取延遲則是下降 0.5ns。

AMD 第三代 Ryzen 桌上型處理器，記憶體超頻調整方向可分為 2 個極端，其一為長久以來的做法，等效時脈越高越好挑戰極限；另一方面則是根據此代 Matisse 特性，將記憶體等效時脈固定於 DDR4-3600 或是 DDR4-3733，避免 Infinity Fabric 與記憶體控制器時脈不同步而增加存取延遲，進而追求記憶體時序最佳化。

追求極速度部分，這款 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組與 Ryzen 9 3900X 和 AORUS X570 Master 搭配時，可達 DDR4-4600 20-21-21-42 1.4V 並完成 MemTest86 1Pass 測試，等效時脈超頻幅度達 15％。固定於 DDR4-3733 時，時序能夠調整下降至 16-17-17-35 1T，並使用 1.35V 電壓設定，AIDA64 測得存取延遲僅有 65.7ns，對比 DDR4-4600 為 73.8ns。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 記憶體模組搭配 Ryzen 9 3900X 和 AORUS X570 Master，DDR4-3733 和 DDR4-4600 的時序分別可達成 16-17-17-35 和 20-21-21-42，運作電壓則為 1.35V 和 1.4V。

 ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 分別以 DDR4-3733 16-17-17-35 和 DDR4-4600 20-21-21-42 通過 MemTest86 1Pass 翻拍畫面。

 ▲ 記憶體模組等效時脈設定於 DDR4-3733，此時 Infinity Fabric 與記憶體控制器時脈可同步運作，因此記憶體讀取頻寬與存取延遲較有優勢，DDR4-4600 則擁有較高的寫入頻寬，複製頻寬甚至來到 63125MB/s。（點圖放大）

E-die 展現時脈實力

自從 Micron DDR4 E 版本記憶體封裝顆粒於市面上出現之後，便傳出超頻性樂勝自家前世代 D 版本與 G 版本，一反 Micron DDR4 記憶體顆粒難以提昇時脈的刻板印象，日常使用 E-die 產品至少都能提升數百 MHz，有幸購買到體質好一些的記憶體模組，等效時脈提升 1GHz 以上並不少見。

Ballistix Elite 推出 DDR4-4000 8GB 單條單 rank 記憶體模組，相當於由自家驗證時脈頻率相容性，Intel 與 AMD 平台均可直接載入 XMP 設定檔直接開機使用。超頻測試部分，筆者手上的測試品項搭配 Ryzen 9 3900X 和 AORUS X570 Master 能夠調整至 DDR4-4600 20-21-21-42 1.4V，擁有一定的調整幅度。

記憶體模組等效時脈提升過後，對於雙方平台處理器效能不見得均有實質幫助，AMD 平台更要考慮 Infinity Fabric 與記憶體控制器時脈掛勾、脫鉤的存取延遲影響。截稿時間之前，編輯部尚未收到台灣市場建議售價，且此次也是 Ballistix Elite 少見達 DDR-4000 等級，較難預估這項產品的性價比，喜愛細部調整的玩家不妨等到上市時自行判斷。

 

產品資訊

Micron Ballistix Elite DDR4

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測試平台

• Intel：
• 處理器：Intel Core i9-9900K
• 主機板：Asus ROG Maximus XI Extreme
• 系統碟：Plextor M9Pe(G) 512GB
• 電源供應器：Seasonic Platinum 1000W
• 作業系統：Microsoft Windows 10 Pro 64bit 1903
• AMD：
• 處理器：Ryzen 9 3900X
• 主機板：GIGABYTE X570 AORUS Master
• 顯示卡：AMD Radeon VII
• 系統碟：GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD 2TB
• 電源供應器：Seasonic Platinum 1000W
• 作業系統：Microsoft Windows 10 Pro 64bit 1903

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